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什么是 SI2337DST1GE3?

元件型号: SI2337DST1GE3
产品名称: SI2337DST1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: SI2337DST1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
系列: TrenchFET
包装: Cut Tape (CT)
场效应管类型: P-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): 6V, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 500pF @ 40V
Vgs(最大): ±20V
场效应管特性: -
功耗(最大): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V
工作温度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: SOT-23-3 (TO-236)
包装/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
根据 19 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SI2337DST1GE3

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