元件型号: | SI2337DST1GE3 |
产品名称: | SI2337DST1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | SI2337DST1GE3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
系列: | TrenchFET |
包装: | Cut Tape (CT) |
场效应管类型: | P-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 80V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 2.2A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 6V, 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 4V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 17nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 500pF @ 40V |
Vgs(最大): | ±20V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
工作温度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | SOT-23-3 (TO-236) |
包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY 23+ 0
VISHAY
23+
32000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI2337DS-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
3161
USD 0
SI2337DS-T1-GE3
180
USD 0
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
3000
USD 0
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY 22+
VISHAY
22+
6000
USD 0
SI2337DS-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
3161
USD 0
SI2337DS-T1-GE3
180
USD 0
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
3000
USD 0
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY 22+
VISHAY
22+
6000
USD 0